تحميل...
Measurement of mobility and lifetime of electrons and holes in a Schottky CdTe diode
We report on the measurement of drift properties of electrons and holes in a CdTe diode grown by the travelling heating method (THM). Mobility and lifetime of both charge carriers has been measured independently at room temperature and fixed bias voltage using charge integration readout electronics....
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | J Instrum |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4340550/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25729405 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/12/C12032 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|