Φορτώνει......

Indium segregation measured in InGaN quantum well layer

The indium segregation in InGaN well layer is confirmed by a nondestructive combined method of experiment and numerical simulation, which is beyond the traditional method. The pre-deposited indium atoms before InGaN well layer growth are first carried out to prevent indium atoms exchange between the...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς: Deng, Zhen, Jiang, Yang, Wang, Wenxin, Cheng, Liwen, Li, Wei, Lu, Wei, Jia, Haiqiang, Liu, Wuming, Zhou, Junming, Chen, Hong
Μορφή: Artigo
Γλώσσα:Inglês
Έκδοση: Nature Publishing Group 2014
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4206869/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25339386
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep06734
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!