Načítá se...
Effect of atomic layer deposition temperature on the performance of top-down ZnO nanowire transistors
This paper studies the effect of atomic layer deposition (ALD) temperature on the performance of top-down ZnO nanowire transistors. Electrical characteristics are presented for 10-μm ZnO nanowire field-effect transistors (FETs) and for deposition temperatures in the range 120°C to 210°C. Well-behave...
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , , , , |
|---|---|
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Springer
2014
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4178550/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25276107 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-517 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|