Charge transport mechanisms and memory effects in amorphous TaN(x) thin films

Amorphous semiconducting materials have unique electrical properties that may be beneficial in nanoelectronics, such as low leakage current, charge memory effects, and hysteresis functionality. However, electrical characteristics between different or neighboring regions in the same amorphous nanostr...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Spyropoulos-Antonakakis, Nikolaos, Sarantopoulou, Evangelia, Drazic, Goran, Kollia, Zoe, Christofilos, Dimitrios, Kourouklis, Gerasimos, Palles, Dimitrios, Cefalas, Alkiviadis Constantinos
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer 2013
Những chủ đề:
Nano Express
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4016540/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24134740
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-8-432
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự