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Gate control of the electron spin-diffusion length in semiconductor quantum wells

The spin diffusion length is a key parameter to describe the transport properties of spin polarized electrons in solids. Electrical spin injection in semiconductor structures, a major issue in spintronics, critically depends on this spin diffusion length. Gate control of the spin diffusion length co...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Wang, G., Liu, B. L., Balocchi, A., Renucci, P., Zhu, C. R., Amand, T., Fontaine, C., Marie, X.
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: Nature Pub. Group 2013
Schlagworte:
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3791469/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24052071
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms3372
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