تحميل...
Direct Transformation of Amorphous Silicon Carbide into Graphene under Low Temperature and Ambient Pressure
A large-scale availability of the graphene is critical to the successful application of graphene-based electronic devices. The growth of epitaxial graphene (EG) on insulating silicon carbide (SiC) surfaces has opened a new promising route for large-scale high-quality graphene production. However, tw...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group
2013
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3556591/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/23359349 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep01148 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|