Phase transition on the Si(001) clean surface prepared in UHV MBE chamber: a study by high-resolution STM and in situ RHEED

The Si(001) surface deoxidized by short annealing at T ~ 925°C in the ultrahigh vacuum molecuar beam epitaxy chamber has been in situ investigated using high-resolution scanning tunneling microscopy (STM)and redegreesected high-energy electron diffraction (RHEED. RHEED patterns corresponding to (2 ×...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Arapkina, Larisa V, Yuryev, Vladimir A, Chizh, Kirill V, Shevlyuga, Vladimir M, Storojevyh, Mikhail S, Krylova, Lyudmila A
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer 2011
Những chủ đề:
Nano Express
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211275/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711733
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-218
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự