Photoluminescence Study of Low Thermal Budget III–V Nanostructures on Silicon by Droplet Epitaxy

We present of a detailed photoluminescence characterization of high efficiency GaAs/AlGaAs quantum nanostructures grown on silicon substrates. The whole process of formation of the GaAs/AlGaAs active layer was realized via droplet epitaxy and migration enhanced epitaxy maintaining the growth tempera...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři: Bietti, S, Somaschini, C, Sarti, E, Koguchi, N, Sanguinetti, S, Isella, G, Chrastina, D, Fedorov, A
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Springer 2010
Témata:
Nano Express
On-line přístup:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2956041/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21076665
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1007/s11671-010-9689-8
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky