Načítá se...
Origins of 1/<it>f </it>noise in nanostructure inclusion polymorphous silicon films
<p>Abstract</p> <p>In this article, we report that the origins of 1/<it>f </it>noise in <it>pm</it>-Si:H film resistors are inhomogeneity and defective structure. The results obtained are consistent with Hooge's formula, where the noise parameter, <i...
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , , , , , , , |
|---|---|
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
SpringerOpen
2011-01-01
|
| Edice: | Nanoscale Research Letters |
| On-line přístup: | http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/281 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|