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A CMOS-Compatible Poly-Si Nanowire Device with Hybrid Sensor/Memory Characteristics for System-on-Chip Applications
This paper reports a versatile nano-sensor technology using “top-down” poly-silicon nanowire field-effect transistors (FETs) in the conventional Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS)-compatible semiconductor process. The nanowire manufacturing technique reduced nanowire width scaling to 50...
保存先:
| 主要な著者: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| フォーマット: | Artigo |
| 言語: | Inglês |
| 出版事項: |
MDPI AG
2012-03-01
|
| シリーズ: | Sensors |
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://www.mdpi.com/1424-8220/12/4/3952/ |
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