লোডিং...
Random telegraph signals caused by a single dopant in a metal–oxide–semiconductor field effect transistor at low temperature
While the importance of atomic-scale features in silicon-based device for quantum application has been recognized and even the placement of a single atom is now feasible, the role of a dopant in the substrate has not attracted much attention in the context of quantum technology. In this paper, we re...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
AIP Publishing LLC
2020-05-01
|
| মালা: | AIP Advances |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://dx.doi.org/10.1063/5.0009585 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|