Đang tải...
A Self-Aligned a-IGZO Thin-Film Transistor Using a New Two-Photo-Mask Process with a Continuous Etching Scheme
Minimizing the parasitic capacitance and the number of photo-masks can improve operational speed and reduce fabrication costs. Therefore, in this study, a new two-photo-mask process is proposed that exhibits a self-aligned structure without an etching-stop layer. Combining the backside-ultraviole...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2014-08-01
|
| Loạt: | Materials |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://www.mdpi.com/1996-1944/7/8/5761 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|