تحميل...
A Self-Aligned a-IGZO Thin-Film Transistor Using a New Two-Photo-Mask Process with a Continuous Etching Scheme
Minimizing the parasitic capacitance and the number of photo-masks can improve operational speed and reduce fabrication costs. Therefore, in this study, a new two-photo-mask process is proposed that exhibits a self-aligned structure without an etching-stop layer. Combining the backside-ultraviole...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI AG
2014-08-01
|
| سلاسل: | Materials |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://www.mdpi.com/1996-1944/7/8/5761 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|