Đang tải...
Top-Down CMOS-NEMS Polysilicon Nanowire with Piezoresistive Transduction
A top-down clamped-clamped beam integrated in a CMOS technology with a cross section of 500 nm × 280 nm has been electrostatic actuated and sensed using two different transduction methods: capacitive and piezoresistive. The resonator made from a single polysilicon layer has a fundamental in-plane re...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2015-07-01
|
| Loạt: | Sensors |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://www.mdpi.com/1424-8220/15/7/17036 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|