Enhancement of the Bond Strength and Reduction of Wafer Edge Voids in Hybrid Bonding

The hybrid wafer bonding technique is drawing much interest in relation to three-dimensional integration technology, and its areas of application are expanding from image sensors to semiconductor memory packages. In hybrid bonding, the bond strength and void formation are the main issues influencing...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Yeoun-Soo Kim, Thanh Hai Nguyen, Sung-Hoon Choa
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: MDPI AG 2022-03-01
Seria:Micromachines
Hasła przedmiotowe:
hybrid bonding
bond strength
edge void
plasma conditions
wafer warpage
Dostęp online:https://www.mdpi.com/2072-666X/13/4/537
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy