Resistive switching effect of N-doped MoS2-PVP nanocomposites films for nonvolatile memory devices

Resistive memory technology is very promising in the field of semiconductor memory devices. According to Liu et al, MoS2-PVP nanocomposite can be used as an active layer material for resistive memory devices due to its bipolar resistive switching behavior. Recent studies have also indicated that the...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Zijin Wu, Tongtong Wang, Changqi Sun, Peitao Liu, Baorui Xia, Jingyan Zhang, Yonggang Liu, Daqiang Gao
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: AIP Publishing LLC 2017-12-01
سلاسل:AIP Advances
الوصول للمادة أونلاين:http://dx.doi.org/10.1063/1.4994227
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة