Recovery Performance of Ge-Doped Vertical GaN Schottky Barrier Diodes

Abstract Vertical GaN Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated on Ge-doped free-standing GaN substrates. The crystal quality of the SBDs was characterized by cathode luminescence measurement, and the dislocation density was determined to be ~ 1.3 × 106 cm− 2. With the electrical performance me...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Hong Gu, Feifei Tian, Chunyu Zhang, Ke Xu, Jiale Wang, Yong Chen, Xuanhua Deng, Xinke Liu
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: SpringerOpen 2019-01-01
Loạt:Nanoscale Research Letters
Những chủ đề:
Vertical SBDs
Ge-doped GaN substrates
Reverse recovery time
HVPE
Truy cập trực tuyến:http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-019-2872-7
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự