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Binding Energy of Hydrogen-Like Impurities in Quantum Well Wires of InSb/GaAs in a Magnetic Field

<p>Abstract</p><p>The binding energy of a hydrogen-like impurity in a thin size-quantized wire of the InSb/GaAs semiconductors with Kane&#8217;s dispersion law in a magnetic field<it>B</it>parallel to the wire axis has been calculated as a function of the radius of...

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Detalhes bibliográficos
Autor principal: Poghosyan B
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: SpringerOpen 2007-01-01
Colecção:Nanoscale Research Letters
Assuntos:
Acesso em linha:http://dx.doi.org/10.1007/s11671-007-9084-2
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