Φορτώνει......
Controlling the Doping Depth in Silicon Micropillars
Micropillar arrays with radial p–n junctions are attractive for photovoltaic applications, because the light absorption and carrier collection become decoupled. The main challenge in manufacturing radial p–n junctions is achieving shallow (dopant depth <200 nm) and heavy doping (>10<sup>...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
MDPI AG
2020-07-01
|
| Σειρά: | Applied Sciences |
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://www.mdpi.com/2076-3417/10/13/4581 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|