A Novel 4H-SiC MESFET with a Heavily Doped Region, a Lightly Doped Region and an Insulated Region
A novel 4H-SiC MESFET was presented, and its direct current (DC), alternating current (AC) characteristics and power added efficiency (PAE) were studied. The novel structure improves the saturation current (I<sub>dsat</sub>) and transconductance (g<sub>m</sub>) by adding a heavily doped region, redu...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2021-04-01
|
| Loạt: | Micromachines |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2072-666X/12/5/488 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|