New Super-Junction LDMOS Based on Poly-Si Thin-Film Transistors
A multi-channel super-junction lateral doubled-diffused MOSFET (SJ-LDMOS) that is developed from thin film transistor technology is proposed. To optimize the breakdown voltage (VBD) and to reduce the specific on-resistance (R<sub>SP</sub>), a new structure called REC-SJ LDMOS, with two symmetrical r...
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| Principais autores: | , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
IEEE
2016-01-01
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| coleção: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://ieeexplore.ieee.org/document/7543503/ |
| Tags: |
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