Annealing‐Free Ohmic Contacts to n‐Type GaN via Hydrogen Plasma‐Assisted Atomic Layer Deposition of Sub‐Nanometer AlOx
Abstract A plasma‐assisted atomic layer deposition (PE‐ALD) process is reported for creating ohmic contacts to n‐type GaN that combines native oxide reduction, near‐surface doping, and encapsulation of GaN in a single processing step, thereby eliminating the need for both wet chemical etching of the...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
Wiley-VCH
2024-02-01
|
| Серія: | Advanced Materials Interfaces |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://doi.org/10.1002/admi.202300758 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|