MODELADO DE LA EVOLUCIÓN DE DEFECTOS PUNTUALES EN Si
En este trabajo se estudia la movilidad y aglomeración de vacancias, utilizando la técnica de Monte Carlo cinético, en la red cristalina del Si a temperaturas relativamente bajas. En una primera etapa se utiliza el algoritmo de Metrópolis para simular el proceso de nucleación y crecimiento de aglome...
Uloženo v:
| Hlavní autoři: | , , |
|---|---|
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Espanhol |
| Vydáno: |
CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF
2009-06-01
|
| Edice: | Anales (Asociación Física Argentina) |
| On-line přístup: | https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/64 |
| Tagy: |
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|