MODELADO DE LA EVOLUCIÓN DE DEFECTOS PUNTUALES EN Si
En este trabajo se estudia la movilidad y aglomeración de vacancias, utilizando la técnica de Monte Carlo cinético, en la red cristalina del Si a temperaturas relativamente bajas. En una primera etapa se utiliza el algoritmo de Metrópolis para simular el proceso de nucleación y crecimiento de aglome...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Sprache: | Espanhol |
| Veröffentlicht: |
CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF
2009-06-01
|
| Schriftenreihe: | Anales (Asociación Física Argentina) |
| Online-Zugang: | https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/64 |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|