CRECIMIENTO PREFERENCIAL DE UNA FASE METAESTABLE EN LÁMINAS DE SILICIO NANOCRISTALINO
La exposición concentrada de un láser de Ar estándar de 514,5 nm de un espectrómetro Raman sobre láminas delgadas de nc-Si, produce una cristalización preferencial tanto de la fase amorfa como de la cristalina. Dicha cristalización da lugar a la fase metaestable XII del silicio (R8), la cual se form...
Gorde:
| Egile Nagusiak: | , |
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| Formatua: | Artigo |
| Hizkuntza: | Espanhol |
| Argitaratua: |
CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF
2013-06-01
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| Saila: | Anales (Asociación Física Argentina) |
| Sarrera elektronikoa: | https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/799 |
| Etiketak: |
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