Enhanced performance of hafnia self-rectifying ferroelectric tunnel junctions at cryogenic temperatures

Abstract The advancement in high-performance computing technologies, including quantum and aerospace systems, necessitates components that operate efficiently at cryogenic temperatures. In this study, we demonstrate a hafnia-based ferroelectric tunnel junction (FTJ) that achieves a record-high tunne...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Junghyeon Hwang, Chaeheon Kim, Jinho Ahn, Sanghun Jeon
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	SpringerOpen 2024-12-01
سلاسل:	Nano Convergence
الموضوعات:	Ferroelectric tunnel junction Self-rectifying Hafnia-based ferroelectrics Imprint effect Cryogenic
الوصول للمادة أونلاين:	https://doi.org/10.1186/s40580-024-00461-2
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!