EFECTOS PROVOCADOS POR RECOCIDO SOBRE LA ESTABILIDAD DEL SILICIO AMORFO HIDROGENADO
Realizamos recocidos isotérmicos sobre una muestra de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) depositada a baja temperatura en un reactor de descarga luminiscente. Para cambiar la configuración en que se enlaza el hidrógeno sin afectar la estructura de la red de silicio elegimos una temperatura de recoc...
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| Автори: | , , , |
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| Формат: | Artigo |
| Мова: | Espanhol |
| Опубліковано: |
CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF
2013-08-01
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| Серія: | Anales (Asociación Física Argentina) |
| Онлайн доступ: | https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/1267 |
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