Ultrathin Hafnium‐Based Ferroelectric Devices for In‐Memory Computing Applications
ABSTRACT The discovery of ferroelectricity in HfO2‐based ferroelectrics at the ultrathin scale has reignited enthusiasm for ferroelectric memory device research, propelling hafnium‐based ferroelectric devices to the forefront of nanoelectronics research. Simultaneously, the rapid advancement of big...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Wiley
2026-03-01
|
| தொடர்: | Information & Functional Materials |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://doi.org/10.1002/ifm2.70010 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|