Hydrogen Can Passivate Carbon Impurities in Mg-Doped GaN
Abstract The effect of unintentionally doped hydrogen on the properties of Mg-doped p-GaN samples grown via metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) is investigated through room temperature photoluminescence (PL) and Hall and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurements. It is found th...
Na minha lista:
| Principais autores: | , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
SpringerOpen
2020-02-01
|
| coleção: | Nanoscale Research Letters |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1186/s11671-020-3263-9 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|