Growth of N-Polar (000<inline-formula><math display="inline"><semantics><mrow><mover><mn>1</mn><mo>-</mo></mover></mrow></semantics></math></inline-formula>) GaN in Metal–Organic Vapour Phase Epitaxy on Sapphire

We have systematically studied the growth of N-polar GaN on sapphire in metal–organic vapor phase epitaxy (MOVPE) on different misoriented (0001) sapphire substrates. The key parameter was the NH<inline-formula><math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><semantics><msub><mrow>...

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Detalhes bibliográficos

Principais autores:	Markus Pristovsek, Itsuki Furuhashi, Pietro Pampili
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	MDPI AG 2023-07-01
coleção:	Crystals
Assuntos:	N-polar GaN MOVPE impurity incorporation blue luminescence
Acesso em linha:	https://www.mdpi.com/2073-4352/13/7/1072
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