Design of High Peak Power Pulsed Laser Diode Driver
This paper attempts to describe a laser diode driver circuit using the depletion mode gallium nitride high electron mobility transistor (D-mode GaN HEMT) to generate nanosecond pulses at a repetition rate up to 10 MHz from the vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL). The feature of this drive...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2022-09-01
|
| Loạt: | Photonics |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2304-6732/9/9/652 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|