Maximal Rashba Splitting in GeTe/Bi2Te3 Heterostructures via Strong Band Bending

Abstract The Rashba effect has emerged as a pivotal phenomenon driving novel discoveries in condensed matter physics. Materials with large Rashba energy ER, wavenumber offset k0 and Rashba parameter αR are prerequisites for spintronic devices operating above room temperature. While neither ultrathin...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

Principais autores:	Qing‐Lin Yang, Xu Yang, Jia‐Wan Li, Yan Li, Jin Tang, Hai‐Feng Du, Zi‐Zhao Gong, Hao‐Pu Xue, Jia‐Nan Liu, Zhuo Deng, Peng‐Tao Yang, Xiang‐Qun Zhang, Wei He, Yusheng Hou, Zhao‐Hua Cheng
פורמט:	Artigo
שפה:	Inglês
יצא לאור:	Wiley 2026-01-01
סדרה:	Advanced Science
נושאים:	band bending band structure ferroelectric Rashba semiconductors heterostructure Rashba effect
גישה מקוונת:	https://doi.org/10.1002/advs.202513673
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!