Novel channel edge doping for hump reduction in LTPS TFTs
We proposed a new channel edge doping (CED) technique for hump reduction in n-type low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin-film transistors (TFTs) and validated it through experiments and technology computer-aided design (TCAD) simulations. The TCAD simulations indicate that the hump eff...
Збережено в:
| Автори: | , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
Taylor & Francis Group
2022-02-01
|
| Серія: | Journal of Information Display |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | http://dx.doi.org/10.1080/15980316.2022.2029590 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|