Experimental Determination, Modeling, and Simulation of Nonlinear Thermal Effects in Bipolar Transistors under Static Conditions: A Critical Review and Update

This paper presents a comprehensive overview of nonlinear thermal effects in bipolar transistors under static conditions. The influence of these effects on the thermal resistance is theoretically explained and analytically modeled using the single-semiconductor assumption. A detailed review of exper...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Vincenzo d’Alessandro, Antonio Pio Catalano, Ciro Scognamillo, Markus Müller, Michael Schröter, Peter J. Zampardi, Lorenzo Codecasa
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2022-07-01
سلاسل:	Energies
الموضوعات:	compact transistor model finite-element method (FEM) gallium arsenide (GaAs) heterojunction bipolar transistor (HBT) nonlinear thermal effects silicon-germanium (SiGe)
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/1996-1073/15/15/5457
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!