A 40 GHz High-Image-Rejection LNA with a Switchable Transformer-Based Notch Filter in 65 nm CMOS
This article presents a low-noise amplifier (LNA) with high image rejection ratio (IRR) operating in the 5G millimeter-wave band using a 65 nm CMOS process. The circuit adopts an inter-stage notch filtering structure composed of a transformer and a switched capacitor array to achieve image suppressi...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
MDPI AG
2025-05-01
|
| Շարք: | Micromachines |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://www.mdpi.com/2072-666X/16/6/676 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|