Annealing Induced Saturation in Electron Concentration for V-Doped CdO
As-grown Ar-deposited Cd<sub>1−x</sub>V<sub>x</sub>O and Ar/O<sub>2</sub>-deposited Cd<sub>1−y</sub>V<sub>y</sub>O feature lower and higher electron concentrations than 4 × 10<sup>20</sup> cm<sup>−3</sup>, respectively. After isothermal and isochronal annealing under N<sub>2</sub> ambient, we find t...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI AG
2021-09-01
|
| মালা: | Crystals |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.mdpi.com/2073-4352/11/9/1079 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|