SPICE Modeling and Circuit Demonstration of a SiC Power IC Technology
Silicon carbide (SiC) power integrated circuit (IC) technology allows monolithic integration of 600V lateral SiC power MOSFETs and low-voltage SiC CMOS devices. It enables application-specific SiC ICs with high power output and work under harsh (high-temperature and radioactive) environments compare...
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| Principais autores: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
IEEE
2022-01-01
|
| coleção: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://ieeexplore.ieee.org/document/9709592/ |
| Tags: |
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