INVESTIGATION OF Ge SUBSTRATES FOR MCT GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Methods of chem-mech polishing and chemical etching were described, and characteristics of Ge wafers were investigated corresponding to technical requirements of MBE growth. Investigation methods included optical microscopy, X-ray diffraction analysis, high-resolution diffraction analysis, AFM and I...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Russo |
| வெளியிடப்பட்டது: |
MIREA - Russian Technological University
2013-10-01
|
| தொடர்: | Тонкие химические технологии |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/535 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|