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Reduced Contact Resistance Between Metal and n-Ge by Insertion of ZnO with Argon Plasma Treatment

Abstract We investigate the metal-insulator-semiconductor contacts on n-Ge utilizing a ZnO interfacial layer (IL) to overcome the Fermi-level pinning (FLP) effect at metal/Ge interface and reduce the barrier height for electrons. A small conduction band offset of 0.22 eV at the interface between ZnO...

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Principais autores: Yi Zhang, Genquan Han, Hao Wu, Xiao Wang, Yan Liu, Jincheng Zhang, Huan Liu, Haihua Zheng, Xue Chen, Chang Liu, Yue Hao
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: SpringerOpen 2018-08-01
coleção:Nanoscale Research Letters
Assuntos:
Germanium
Fermi-level pinning
Ohmic contact
Argon plasma
ZnO
Acesso em linha:http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-018-2650-y
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