A Si/SiC Heterojunction Double-Trench MOSFET with Improved Conduction Characteristics
A Si/SiC heterojunction double-trench MOSFET with improved conduction characteristics is proposed. By replacing the N+ source and P-ch regions with silicon, the device forms a Si/SiC heterojunction that exhibits Schottky-like characteristics, effectively deactivating the parasitic PiN body diode and...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
MDPI AG
2025-11-01
|
| தொடர்: | Micromachines |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.mdpi.com/2072-666X/16/12/1335 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|