Inelastic resonant tunnelling through adjacent localised electronic states in van der Waals heterostructures
Abstract Van der Waals heterostructures offer unprecedented opportunities to design next stage functional electronic 2D devices. Most architectures of those devices incorporate large bandgap insulator – hBN as an encapsulating or tunnel barrier layers. Here, we use an architecture of gated vertical...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
Nature Portfolio
2025-01-01
|
| தொடர்: | npj 2D Materials and Applications |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://doi.org/10.1038/s41699-025-00528-6 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|