ScAlN-based HEMTs: Challenges and opportunities
The rapid advancement of wireless communication, radar technology, automotive electronics, and renewable energy systems necessitates semiconductor devices capable of operating at increasingly higher frequencies and power densities while maintaining reliability. GaN-based high-electron mobility trans...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
AIP Publishing LLC
2025-06-01
|
| سلاسل: | APL Electronic Devices |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://pubs.aip.org/aip/aed/article-pdf/doi/10.1063/5.0272976/20562758/021507_1_5.0272976.pdf |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|