Point Defect Influence on Electrical Conductivity of Semiconducting Ferroelectric AlScN

Aluminum scandium nitride (Al_1−xSc_xN) is a promising ferroelectric material for non-volatile random-access memory devices and electromechanical sensors. However, adverse effects on polarization from electrical leakage are a significant concern for this material. We observed tha...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Xiaoman Zhang, Wangwang Xu, Bipin Bhattarai, Dominic A. Dalba, Dilan M. Gamachchi, Indeewari M. Karunarathne, Yue Yu, Nathan J. Pravda, Ruotian Gong, David Stalla, Chong Zu, W. J. Meng, Andrew C. Meng
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2025-12-01
سلاسل:	Ceramics
الموضوعات:	AlScN ferroelectric leakage vacancy
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2571-6131/8/4/146
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!