Synaptic behaviour in ZnO–rGO composites thin film memristor
A zinc oxide (ZnO)–reduced graphene oxide (rGO) composite thin film memristive device is reported. Further, it has been shown that it is possible to implement Hebbian learning rules like, the spike‐timing‐dependent plasticity, using this device. Furthermore, a circuit on PCB is developed; this circu...
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| Principais autores: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Wiley
2017-03-01
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| Colecção: | Electronics Letters |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1049/el.2016.3655 |
| Tags: |
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