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Electrostatic Field Effect Light-Emitting Diode

Gallium Nitride (GaN) based light-emitting diodes (LEDs) suffer from the persistent issue of high resistivity of the p-type layer, due to inefficient dopant activation at room temperature. Here, a novel Electrostatic Field Effect LED (EFELED) is demonstrated to solve this issue by introducing signif...

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Principais autores: Matthew Hartensveld, Bryan Melanson, Jing Zhang
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: IEEE 2020-01-01
coleção:IEEE Photonics Journal
Assuntos:
LED
GaN
FET
electrostatic doping
LED display
capacitor
Acesso em linha:https://ieeexplore.ieee.org/document/9086082/
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