Transport in a Two-Channel Nanotransistor Device with Lateral Resonant Tunneling
We study field effect nanotransistor devices in the Si/SiO<sub>2</sub> material system which are based on lateral resonant tunneling between two parallel conduction channels. After introducing a simple piecewise linear potential model, we calculate the quantum transport properties in the R-matrix ap...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2024-10-01
|
| Loạt: | Micromachines |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2072-666X/15/10/1270 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|