Three-Dimensional TID Hardening Design for 14 nm Node SOI FinFETs

The fin field-effect transistor (FinFET) has been the mainstream technology on the VLSI platform since the 22 nm node. The silicon-on-insulator (SOI) FinFET, featuring low power consumption, superior computational power and high single-event effect (SEE) resistance, shows advantages in integrated ci...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Peng Lu, Can Yang, Yifei Li, Bo Li, Zhengsheng Han
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2021-12-01
தொடர்:	Eng
பொருள்கள்:	SOI FinFET 14 nm node TID hardening design methodology TCAD simulation
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2673-4117/2/4/39
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

Three-Dimensional TID Hardening Design for 14 nm Node SOI FinFETs

ஒத்த வளங்கள்