Carrier Injection to In<sub>0.4</sub>Ga<sub>0.6</sub>As/GaAs Surface Quantum Dots in Coupled Hybrid Nanostructures
Stacking growth of the InGaAs quantum dots (QDs) on top of a carrier injection layer is a very useful strategy to develop QD devices. This research aims to study the carrier injection effect in hybrid structures with a layer of In<sub>0.4</sub>Ga<sub>0.6</sub>As surface quantum dots (SQDs), coupled...
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| 主要な著者: | , , , , , , , , , , |
|---|---|
| フォーマット: | Artigo |
| 言語: | Inglês |
| 出版事項: |
MDPI AG
2022-02-01
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| シリーズ: | Crystals |
| 主題: | |
| オンライン・アクセス: | https://www.mdpi.com/2073-4352/12/3/319 |
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