Electrophysical characteristics of initial and irradiated GаAsP LEDs structures
ight emitting diodes based on gallium arsenide-phosphide solid solutions were studied. Negative differential resistance regions were identified at lower temperatures T ≤ 130 K. Irradiation of diodes by electrons (E = 2 MeV) leads to the increase in the differential resistance, change in the contact...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
Institute for Nuclear Research, National Academy of Sciences of Ukraine
2019-06-01
|
| Շարք: | Ядерна фізика та енергетика |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://jnpae.kinr.kiev.ua/20.2/html/20.2.0164.html |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|