150–200 V Split-Gate Trench Power MOSFETs with Multiple Epitaxial Layers
A rating voltage of 150 and 200 V split-gate trench (SGT) power metal-oxide- semiconductor field-effect transistor (Power MOSFET) with different epitaxial layers was proposed and studied. In order to reduce the specific on-resistance (R<sub>on,sp</sub>) of a 150 and 200 V SGT power MOSFET, we used a...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI AG
2020-05-01
|
| سلاسل: | Micromachines |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.mdpi.com/2072-666X/11/5/504 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|